HYG009N04LS1C2 دیتاشیت

HYG009N04LS1C2

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت HYG009N04LS1C2
حجم فایل 66.285 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

مشاهده دیتاشیت HYG009N04LS1C2

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: HUAYI HYG009N04LS1C2
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 75W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 41nC@4.5V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 40V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 5876pF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 200A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.8V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 58pF@25V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 0.75Ω@10V,40A
  • Package: DFN-8(5x6)
  • Manufacturer: HUAYI

محصولات مشابه